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面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長
成果領域: 節(jié)能與新能源
推廣方式: 技術許可,技術合作,其他
成果鑒定時間:0000-00-00
成果介紹
成功在石墨烯/SiC襯底上實現(xiàn)了應變弛豫GaN薄膜的外延生長,并發(fā)現(xiàn)了其在長波長LED中的應用潛力。研究發(fā)現(xiàn),石墨烯的插入極大地降低了GaN薄膜中的雙軸應力,有效提高了InGaN阱層中In原子并入,使量子阱發(fā)光波長顯著紅移。該成果有助于推動高性能、長波長氮化物發(fā)光器件發(fā)展。相關結果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”為題發(fā)表在國際頂尖學術期刊《Light: Science & Applications》。
成果應用案例介紹
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