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電磁屏蔽材料是防止電磁兼容和電磁輻射污染，避免電磁波信息泄密的重要手段，開發(fā)性能卓越的電磁屏蔽材料不僅具有重要的科學(xué)意義，而且具有重要社會意義和極高的應(yīng)用價值。傳統(tǒng)電磁屏蔽材料主要采用導(dǎo)電性良好的金屬或者碳材料構(gòu)建吸波結(jié)構(gòu)，利用此結(jié)構(gòu)的對電磁波的吸收損耗、反射損耗以及多重反射損耗來達(dá)到電磁屏蔽的功能，然而傳統(tǒng)的電磁屏蔽材料對于低頻電磁輻射很難產(chǎn)生良好的效果，必須采用磁導(dǎo)率高的材料，為磁場提供一個磁阻很低的通路，從而將磁力線約束在這個通路中，達(dá)到電磁屏蔽的作用。 非晶態(tài)合金具有高磁導(dǎo)率，低的矯頑力，可以形成一系列性能優(yōu)良的軟磁材料。非晶態(tài)合金材料無論在理論上還是在應(yīng)用開發(fā)方面都取得了豐碩成果，而電磁屏蔽材料則是非晶態(tài)合金應(yīng)用的新領(lǐng)域。我們課題組研究的FeNiSiB, FeNbSiB非晶具有高飽和磁化強(qiáng)度、高初始磁導(dǎo)率等性能，同時具有優(yōu)異的力學(xué)性能，經(jīng)過進(jìn)一步研究這些材料可以作為電磁屏蔽材料得到應(yīng)用。本項目將對上述材料軟磁性能進(jìn)行深入研究，通過液態(tài)急冷技術(shù)制備非晶合金帶材，用于制備層狀復(fù)合電磁屏蔽材料，通過霧化急冷技術(shù)獲得合金粉體，用于制備填充型復(fù)合電磁屏蔽材料以及導(dǎo)電導(dǎo)磁涂料。